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物理外延是一项用于制备材料薄膜的高级技术，通过在真空或低压环境中加热固态材料，将其直接转变为气相，然后沉积到衬底表面，形成外延薄膜。这一领域涵盖了多种技术，包括分子束外延(molecular beam epitaxy)、磁控溅射(magnetron sputtering)以及基于分子束外延的解理镀膜等。

物理外延技术适用于外延生长化合物半导体薄膜、合金薄膜、氧化物薄膜和钝化层等，在半导体器件制造、光电子学和激光器等领域得到广泛应用。

费勉仪器以底层物理原理仿真模拟为核心技术，包括直接蒙特卡洛的源炉束流仿真和基于全物理量的衬底加热器和源炉热场仿真。

基于这一仿真模拟技术，我们成功自主开发了适用于产线的分子束外延、磁控溅射和解理镀膜设备。我们的独创性大容量源炉、大尺寸衬底加热器、阀式裂解源、高通量射频等离子源、全自动传样机械臂等核心部件，具有领先的技术优势，并已获得多项发明专利。

此外，我们正在致力于研发最新的外延衬底技术，包括基于原子置换技术的硅基碳化硅复合衬底，以及适用于碳化硅、金刚石等衬底的等离子衬底抛光技术。硅基碳化硅复合衬底已完成样机搭建调试和小批量3inch衬底生产，为氮化镓、氧化镓等宽禁带器件提供了高质量、低价格的外延衬底备选方案，并解决了碳化硅衬底和cmos工艺不兼容的问题，适用于硅光等新器件。

在分子束外延方面，我们已具备全系列分子束外延整机和核心部件的供货能力。目前已实现单片3inch、单片4inch、单片8inch和多片3、4inch的分子束外延整机销售，并通过外延工艺验证，应用于gaas、inp基等传统材料外延，以及gan、ga2o3等新材料外延。我们还提供炉源、裂解源、衬底加热器等核心部件，兼容用户现有系统，并为量子器件等新材料、器件提供定制系统开发。

基于分子束外延技术开发的化合物界面处理和钝化设备，可实现激光巴条的腔面处理和钝化，突破了国内卡脖子瓶颈。自2020年立项开发以来，已累计销售整机设备超过10台，推动国产激光巴条芯片实现量产。在设备开发过程中，我们不仅攻克了真空解理的技术难题，并且基于等离子技术，推出自主研发高通量h原子源，为用户提供更高效的腔面处理手段，该技术不仅可用于激光巴条的腔面清洁，并可用于micro-led等其他微结构中的关键界面处理，在化合物半导体器件工艺中有广泛的应用前景。

pv-200c 全自动磁控生产线为多腔材料生长提供凯发k8国际唯一的解决方案。其典型应用包括磁隧道结和自旋逻辑器件(gmr、tmr、mram)、微机电系统(mems)、有机发光器件 (oled)、太阳能电池(pv、opv)。

pv-200c 可实现多腔互联，衬底无需暴露在大气中，在真空中即可完成工艺流程。

pv-200c 拥有自动按顺序一次处理一个衬底或并行处理衬底以提高生产效率的能力。可实现衬底跟踪，全过程数据记录。

fermi 磁控软件有良好的人机交互界面，用户可以自定义工艺配方，各类传感器及真空互锁，保证设备高效安全运行。

在过去十多年发展中，我们已积累了丰富的全流程生产管理经验，并拥有专业的凯发k8国际唯一的售后服务团队，赢得了国内外众多客户的高度认可和坚定信赖。近年来，公司成功吸引了多轮融资，拥有稳健的财务实力，为公司的项目开发和长期运营提供全面的支持和保障。

未来，费勉仪器将继续秉承以客户为本、以质量为先的服务准则，为客户提供卓越的设备与产品，创造更多价值!