● 应用:金属,磁性薄膜,半导体异质结; | ● 样品尺寸: 标准旗形样品托; | ● 本底真空:< 5×10-10 mbar; |
● 生长源部件:3个cf40(强磁场下生长铁磁材料),2个cf40(生长常规金属),1个cf40(射频等离子源); | ● 磁场强度:± 9 t,均匀性< 0.1%; | ● 工作温度:室温-1200 k |
生长室 | 生长室极限真空:<5×10-10 mbar |
超高真空抽气系统:300l/s分子泵(edwards或pfeiffer品牌),包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀等;可选配离子泵、tsp等,以实现更好的本底真空 | |
真空测量:离子规及pirani真空规,覆盖2×10-11 mbar至大气压的测量范围,并与真空控制系统关联集成,实现系统的安全保护 | |
2轴样品架:匹配标准flag-type样品托,工作温度:室温-1200k;温度模块:低温模块、电子束加热模块或direct heating模块 | |
蒸发源安装口:6个cf40,可根据用户实际需求进行低、中、高蒸发源的配置 | |
磁场强度:±9t,均匀性<0.1% | |
可选配离子源(ion source) | |
快速进样室 | 本底真空:<5×10-8 mbar |
超高真空抽气系统:80l/s分子泵(edwards或pfeiffer品牌),包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀、放气阀等 | |
真空测量:全量程真空规,覆盖5×10-9 mbar至大气压的测量范围,并与真空控制系统关联集成,实现系统的安全保护 | |
样品停放台:6个停放位(可升级至12个停放位) | |
样品传递装置:600mm行程传样杆,包含样品托抓取头及法兰调节器 | |
vat cf63闸板阀,用于生长室与快速进样室的隔断 | |
系统集成及控制 | 真空控制及保护系统,集成真空规信号、分子泵控制、蒸发源保护、烘烤保护等功能 |
包含蒸发源、样品架的温度控制软件 | |
热风式烘烤模块,烘烤温度均匀,拆装方便 |
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